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1,三星s4zoom的CMOS是多少万像素的

1600万背照式CMOS。

三星s4zoom的CMOS是多少万像素的

2,CMOS的分辨率是多少

摄像头的分辨率不完全等同于显示器,切切的说,摄像头分辨率就是摄像头解析图像的能力。现在市场上较多的CMOS的分辨率一般在640*480,有的也会在800*600。如果是CCD的还要高些。
130万到300万

CMOS的分辨率是多少

3,cmos和像素是什么关系谁讲一下这个像素为什么是175微米 问

像素算是CMOS上的基本单元,现在说的像素尺寸多少多少微米指的是单个像素单元的边长,是把每个像素单元看成了小正方形的。
虽然设计cmos的厂家不少,但是有生产能力的也就那几家,而且生产工艺还差不多,于是,只能做到这个程度了……

cmos和像素是什么关系谁讲一下这个像素为什么是175微米  问

4,CMOS元件的像素到底有多大

摄像头是在屏幕上显示的在显示器上显示有30W像素就够了。所以根本没必要做大。至于芯片上像素有多大,实在太小了
诺基亚的传感器是冗余策略,并非从任意比例下裁剪,如果一定要认为有所浪费的话,冗余策略任意比例下都有浪费,但这样才是真正的16:9,而不像许多手机的传感器比例是4:3,实现16:9是靠裁减掉宽度部分获得的。
数码相机里的COMS面积比摄像头的大得多,一般对角线长度达到1.5英寸以上甚至更多。

5,数码相机中的参数CMOS是什么意思 IT数码

  数码相机采用电子元器件成像而非胶卷--这是数码相机与传统相机最本质的区别所在。数码相机的成像器件主要分为两类:  CCD--英文Charge Couple Device的缩写,中文名称电荷耦合器件。  CMOS--英文Complementary Metal-Oxide Semiconductor的缩写,中文名称为互补金属氧化物半导体。  2、1)CCD是目前主流的成像器件,主要分为:  (1)R-G-B原色CCD:这是数码相机上应用的最多的CCD。  (2)C-Y-G-M补色CCD:早些时候尼康部分数码相机使用过这种补色CCD。  (3)R-G-B-E四色CCD:这是索尼最新发布的CCD,它比RGB原色CCD多出一个E(Emerale,翠绿)的颜色。  2)Super CCD:是日本富士公司的专利技术,中文名称为超级CCD,由CCD演变而成,目前已经发展到第4代。  3)CMOS:作为数码相机成像器件出现的时间并不长,但发展却非常迅速,大有与CCD分庭抗争之势,其基本结构中的像素排列方式与R-G-B原色CCD并没有本质差别。佳能是CMOS阵营的主要支持者。

6,卡片佳能数码CMOS和CCD那个好

cmos控制噪点好些~~ccd要大尺寸的才好~~
现在的技术差不了多少,佳能单反全都用CMOS了,而且CMOS要省电多了,像素是照片最大尺寸,跟清晰度关系不大
CMOS 又叫背照式传感器 CCD 是普通的感光元器件 CMOS 的优点是感光 处理上 速度较快 在连拍 手持夜景 拍摄大尺寸视频时更有优势 CCD 在拍照片时 锐度 色彩方面更好一些 对家用相机来说 像素多少并不重要 又不是经常冲印大尺寸相片 一般更要看相机的感光元器件大小
你好! 在光照条件足够的环境中,CCD感光元件的成像画质优于普通的CMOS感光元件; 但即使在此环境中,新开发的“背照式CMOS”成像画质也不会逊于CCD感光元件,并且还占有如下优势: 1、“背照式CMOS”数据传输速率更高,在数码相机中的具体表现为 --- 连拍功能更强(比CCD每秒拍摄照片的张数多一倍以上);通常能够支持1920 X 1080 全高清分辨率的影片(CCD无此能力)。 2、“背照式CMOS”功耗更低。同等容量的电池,配置“背照式CMOS”的机型能够支持更长时间的拍摄。 如果是夜景拍摄,CCD感光灵敏度就根本不能与“背照式CMOS”相比了。

7,CMOS器件的基本原理及结构

CMOS器件:就是CMOS传感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文学名为互补金属氧化物半导体,它本是计算机系统内一种重要的芯片,保存了系统引导最基本的资料。其原理是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带-电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。    CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)。  CMOS传感器按为像素结构分被动式与主动式两种。  被动式 :又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结,它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时,光敏二极管与垂直的列线(Column bus)连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路(Charge integrating amplifier)保持列线电压为一常数,当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时,其电压被复位到列线电压水平,与此同时,与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。  主动式: 主动式像素结构(Active Pixel Sensor.简称APS),又叫有源式,如图2所示. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时,人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能,在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积,降低了“封装密度”,使40%~50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是,如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配,这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发,所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。
三块太阳能电池。盖上红色滤色玻璃,绿色滤色玻璃,蓝色滤色玻璃。红色滤色玻璃的太阳能电池,根据红色光线的强弱,产生多或少的电量,把这些电量换算成数字,代表红色光线的强弱。绿色,蓝色同上。三种光线的强弱合起来,代表这个点所接收的颜色。超多的微型的太阳能电池组成众多的颜色信号,最终组成马赛克画面。ccd就是微型的 盖着有色玻璃的 太阳能电池 的 集合体。那些专业生造词看得头疼,用自己能理解的话翻译ccd原理。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。 在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称,其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片,是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器,只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序,方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。 CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件(常见的有TTL和CMOS),尤其是片幅规格较大的单反数码相机。虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同,但基本上它仍然是采取CMOS的工艺,只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能,再透过芯片上的模-数转换器(ADC)将获得的影像讯号转变为数字信号输出。 CMOS与CCD的区别 CCD与CMOS传感器是被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送的方式不同。 CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中,由最底端部分输出,再经由传感器边缘的放大器进行放大输出;而在CMOS传感器中,每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路,用类似内存电路的方式将数据输出。 造成这种差异的原因在于:CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真,因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理;而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声,因此,必须先放大,再整合各个象素的数据。 由于数据传送方式不同,因此CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异,这些差异包括: 1. 灵敏度差异: 由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路),使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积,因此在象素尺寸相同的情况下,CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。2. 成本差异: 由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺,可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中,因此可以节省外围芯片的成本;除此之外,由于CCD采用电荷传递的方式传送数据,只要其中有一个象素不能运行,就会导致一整排的数据不能传送,因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多,即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破50%的水平,因此,CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。3. 分辨率差异: CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂,其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平,因此,当比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时,CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如,市面上CMOS传感器最高可达到210万象素的水平(OmniVision的 OV2610,2002年6月推出),其尺寸为1/2英寸,象素尺寸为4.25μm,但Sony在2002年12月推出了ICX452,其尺寸与 OV2610相差不多(1/1.8英寸),但分辨率却能高达513万象素,象素尺寸也只有2.78mm的水平。4. 噪声差异: 由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器,而放大器属于模拟电路,很难让每个放大器所得到的结果保持一致,因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比,CMOS传感器的噪声就会增加很多,影响图像品质.5. 功耗差异: CMOS传感器的图像采集方式为主动式,感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出,但CCD传感器为被动式采集,需外加电压让每个象素中的电荷移动,而此外加电压通常需要达到12~18V;因此,CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC),高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说,OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA),在 30 fps的速度下运行,功耗仅为40mW;而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品,其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大,不能长时间在阳光下工作。 综上所述,CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都优于CMOS传感器,而CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点。不过,随着CCD与CMOS传感器技术的进步,两者的差异有逐渐缩小的态势,例如,CCD传感器一直在功耗上作改进,以应用于移动通信市场(这方面的代表业者为Sanyo);CMOS传感器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足,以应用于更高端的图像产品。 发展前景 专家们认为,21世纪初全球CMOS图像传感器市场将在PC摄像机、移动通信市场、数码相机、摄像机市场市场等领域获得大幅度增长,在未来的几年时间内,在130 万像素至200万像素之下的产品中,将开始以CMOS传感器为主流。以小型化和低功耗CMOS图像传感器为核心的摄像机正在成为消费类产品的主流,上述领域将为图像传感器市场带来巨大发展。

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